IT之家 8 月 7 日音讯，据台媒经济日报音讯，台积电鄙人一代技能领域获得重大打破。

  台积电联合阳明交通大学团队，成功研宣布高功能单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管，有助于打破摩尔定律极限，为敞开“后硅”年代带来全新要害，相关研究成果已发表于学术期刊《天然-电子学》。

  业界指出，为打破摩尔定律的极限，当半导体制程迈入 1 纳米以下节点时，寻觅新资料已成为必然趋势。其间，二硫化钼（MoS2）作为备受瞩目的新式二维半导体资料，估计将在约 1 纳米以下的 0.7 纳米（A7 制程）/CFET（互补场效应晶体管）年代正式引进。

  包含使用资料、阿斯麦（ASML）、爱思强（AIXTRON）、ASM International 以及泛林集团（Lam Research）在内的半导体设备巨子，均在活跃投入研制对应二硫化钼新资料的设备与技能需求。

  据介绍，手机、电脑甚至未来的 AI 智能设备，都需求运算速度更快、功耗更低的半导体芯片。但是，传统的硅基半导体技能已逐渐迫临其物理极限。

  为此，全球科学家都在活跃探索下一代半导体资料。而“二维半导体”因为薄至仅有原子级厚度，被视为连续摩尔定律、推进芯片继续微缩与功能提高的要害打破口。